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R6030ENZ1C9
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ROHM羅姆半導體完整型號: R6030ENZ1C9

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 30A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 130 毫歐 @ 14.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 85nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 2100pF @ 25V

功率 - 最大值: 120W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-247-3

供應商器件封裝: TO-247


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